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transcend/創(chuàng)見 MTE662P & MTE662P-I

創(chuàng)見MTE662P固態(tài)硬盤搭載PCIe Gen 3 x4接口，符合最新NVMe 1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3D NAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3D NAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE662P固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)存取速度，同時經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級。MTE662P搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(Corner Bond)技術(shù)，提供優(yōu)異可靠的性能，更結(jié)合斷電保護(hù)（PLP）功能，確保數(shù)據(jù)完整性。此外，MTE662P具備類寬溫特性（-20°C~75°C），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

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外觀
尺寸	80 mm x 22 mm x 3.88 mm (3.15" x 0.87" x 0.15")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2規(guī)格	2280-D2-M (雙面的)
外觀尺寸	M.2 2280
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen3 x4
存儲
容量	128 GB/ 256 GB/ 512 GB/ 1 TB
Flash類型	3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	3.4 瓦
耗電量 (IDLE)	0.9 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達(dá) 3,400 MB/s 寫入: 高達(dá) 2,300 MB/s
4K隨機(jī)讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達(dá) 340,000 IOPS 寫入: 高達(dá) 355,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達(dá) 2,200 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	2 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負(fù)載可能與實際工作負(fù)載不同，實際工作負(fù)載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。