固態(tài)硬盤發(fā)展已經(jīng)進入成熟期，速度變快的同時價格也越來越親民，但有的時候大家會發(fā)現(xiàn)，同樣大小的固態(tài)硬盤，價格往往相差較大，甚至有的情況下存在數(shù)倍的差距，困擾之余也想知道到底什么原因造成這樣的情況，我們就來討論下這個問題。

眾所周知，固態(tài)硬盤主要由主控芯片，和閃存(FLASH)芯片構(gòu)成，閃存芯片負責存儲數(shù)據(jù)，而主控芯片則負責管理。這其中，F(xiàn)LASH芯片本身往往決定了固態(tài)硬盤的容量、性能、價格等等。在價格方面，閃存芯片基本上會占到整個固態(tài)硬盤價格的80%以上，所以可以說閃存決定了固態(tài)硬盤絕大多數(shù)的相關(guān)指標，我們重點看看閃存芯片。

我們不想涉及太深的技術(shù)層面的東西，盡量用簡單的角度來一些說明，閃存正式名稱是NAND FLASH，由浮柵MOSFET組成。MOSFET這個東西全稱也很長，我們不用關(guān)心，只須知道，它在數(shù)字電路中一般當作開關(guān)來使用，在數(shù)字電路中應(yīng)用極廣泛。但它本身并不能在斷電后保持狀態(tài)，所以也無法當成存儲器來使用。于是有人天才地在MOSFET中增加了一個浮動柵極，用浮柵來鎖住電荷，在斷電后也能保持狀態(tài)，所以，它構(gòu)成了FLASH存儲器的最基本單元。如下圖：



浮柵MOSFET構(gòu)成了閃存最基本的單元，擦除操作浮柵向下，以1來表示，(閃存不支持覆寫，寫入前必須先擦除)；編程(寫操作)浮柵向上，以0來表示；斷電時，浮柵保持位置，鎖住電荷；讀取時確定內(nèi)部電荷的多少來確定是1或0，這就是閃存的基本操作。

那么如何來確定存儲的是1，還是0呢，是以內(nèi)部電荷的多少，即電壓的高低來確定。寫操作，可以理解為是一個充電的過程，充電到一個合適的電壓值。



SLC單層存儲單元，代表二進制的一位(1Bit)，表示兩個值：1、0，電壓由低到高(從左到右)，只需設(shè)置一個電壓判定點，分成2個區(qū)域，電壓低于判定點(左)，代表二進制1；同理，電壓高于判定點(右)，代表二進制0。因為只表示一位，只有一個電壓判定點，SLC結(jié)構(gòu)最簡單，執(zhí)行效率最高，速度最快，出錯的機率也最低。



MLC雙層存儲單元，代表二進制的兩位(2Bit)，表示四個值：11、10、01、00，電壓由低到高(從左到右)，需要設(shè)置三個電壓判定點，分成4個區(qū)域，來分別代表11、10、01、00。可以看到，基于同一個MOSFET，MLC結(jié)構(gòu)復(fù)雜很多，執(zhí)行效率也會低一些，速度也會稍慢，出錯機率也增加。

TLC三層存儲單元，代表二進制的三位(3Bit)，更加復(fù)雜，同一個MOSFET，需要設(shè)置7個電壓判定點，分成8個區(qū)域，電壓由低到高，來表示，111、110、101、100、011、010、001、000。

QLC四層存儲單元，代表二進制的四位(4Bit)，已經(jīng)到了非常復(fù)雜的程度，一個MOSFET，需要設(shè)置15個電壓判定點，分成16個區(qū)域，依據(jù)電壓高低，來分別表示，1111、1110、1101、1100、1011、1010、1001、1000、0111、0110、0101、0100、0011、0010、0001、0000。

以上，同一MOSFET，可以做成1Bit、2Bit、3Bit、4Bit，相應(yīng)地，存儲的一個字節(jié)(BYTE)，如果用SLC模式，需要使用8個MOSFET，如果使用QLC，則只需1個MOSFET，單從這個角度來看，可以大體認為，同樣的容量的固態(tài)硬盤，采用SLC的價格是采用QLC的8倍，8倍已經(jīng)是一個非常懸殊的倍率，這就是為什么固態(tài)硬盤同樣容量價格懸殊的最重要的原因。

下面是SLC及MLC閃存的實物照片：


睿達(Agrade) ST50 V2.0 128GB _  采用 INTEL 29F64B08PCME1 64GB MLC閃存


睿達(Agrade) AC30 2GB _  采用 TOSHIBA TC58NVG4S2FTA00 2GB SLC閃存


這一篇我們初步認識了SLC到QLC的結(jié)構(gòu)，了解了它們之間的價格方面的區(qū)別，下一篇我們再探討，它們之間其它方面的區(qū)別，以及由此引出的不用用途客戶如何選擇適合的固態(tài)硬盤。