SLC、MLC、TLC、QLC是四種閃存芯片架構，有諸如3-bit MLC,3-bit TLC等多種延伸，在速度和壽命上都有所不同。
NAND閃存是近年出現的一種比硬盤更好的存儲方案。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存芯片在
SSD中起到緩沖的作用，對SSD的整體性能有著很大的影響。NAND閃存是影響SSD的最關鍵因素。
目前主流的SSD中主要采用的是MLC NAND閃存芯片。與SLC閃存芯片，但隨著技術的發展，如今采用TCL NAND閃存芯片的SSD也已經出現，彌補了多線程隨機寫入能力不足。
TLC架構在2009年問世，代表1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。如同MLC技術出現的時候，在NAND Flash知名廠商東芝引發戰爭后，三星電子變迅速加入戰團，使得整個TLC技術大量被量產到終端設備上，但直到2012年10月份，第一款采用TCL NAND閃存芯片的SSD才面試，拉起了三種芯片在SSD競爭的大幕。
TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為壽命、效能等方面也大打折扣，因此在技術發展之初其僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。
固態硬盤(SSD)技術門檻較高，對于NAND Flash效能講求高速且不出錯等應用產品，雖然三星如今已經推出了TCL NAND閃存芯片的SSD，但是具體的表現還要經得起市場的檢驗。下面我們來看一下三種架構芯片的區別：
首先看看SLC、MLC、TLC、QLC的區別
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其結構簡單但是執行效率高，最大的特點就是速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。其在企業級SSD上比較常見，例如經典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盤上也有使用。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四個充電至，因此要比SLC需要更多的訪問時間。其最大特點就是速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。如今大多數的消費機SSD都是使用的MLC。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的數據，共八個充電值，也有Flash廠家叫8LC，最大特點就是速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。，通常用在U盤或者存儲卡這類移動存儲設備上。
目前，QLC = Quad-Level Cell架構以及出現，即4bit/cell，支持16充電值，速度最慢壽命最短，目前中技術上在研發階段，但是intel、三星電子等廠商都已經取得了不錯的進展。但在SSD應用中目前仍不現實 。
SSD固態硬盤發展前景巨大，但是對于企業級市場來說，目前出現大規模的應用尚不現實 ，畢竟更加注重數據安全、性價比等方面的企業用戶選擇SSD并不劃算。當然對于消費者用戶來說，他們可能會率先享受NAND 閃存給用戶帶來的超快體驗，值得關注2015年的固態硬盤市場。
