NAND Flash被廣泛使用在車載、移動設備、網絡通訊和工業級嵌入式儲存等應用，除了搭載軟件及固件程序的開發，使得整體運作效率更高，傳輸速度更好；NAND制程技術也一直在尋求精進與突破，不管在價格競爭力或NAND芯片的耐用度與穩定性上，希望能在功能技術與成本之間取得平衡。

因此NAND閃存目前發展的方向多以降低儲存位成本、提高存儲容量和增加耐用度為原則。因此，睿達提供新的閃存解決方案，兼顧效能與成本考慮，客戶可挑選最適合的NAND閃存于其應用產業中。

2D NAND Flash制程的進化從 SLC NAND Flash到后來的MLC和TLC，SLC為效能最佳的閃存類型且低功耗，但單價成本過高；而MLC成本相對較低，但受限于寫入效能和寫入/抹除次數(Program/Erase Cycle)即使用壽命只高過TLC。由此得知，不同層級儲存單元的NAND閃存有不同的特質，并非儲存單元數越多就越好，依據實際工業儲存應用需求選用最適合的閃存類型，才能真正將系統資源的分配與運用優化。

因此，睿達在2D開發上有了aSLC，其核心概念是使MLC達到像SLC等級的作業水平，寫入/抹除次數(Program/Erase Cycle)達20,000次，提升其讀寫效能和使用壽命，在 MLC 和 SLC 閃存類型之間獲取成本效益最優化。

但隨著2D NAND制程已達物理極限，儲存單元內可裝載容量要再擴增，勢必采用3D NAND堆疊技術的方式，提升閃存容量，且多方考慮不同的應用和功能應該選用不同模式的閃存。睿達基于3D堆疊技術架構原理通過固件開發，優化3D NAND閃存技術: aSLC-X、MLC-X和3D TLC，在立體結構設計下除了容量空間增大，耐用性與可靠度皆大幅提升。aSLC-X和MLC-X解決方案，其寫入/抹除次數(Program/Erase Cycle)分別可達30,000次與10,000次，已超越MLC或工業3D TLC寫入/抹除次數10倍之多。而Agrade的3D TLC NAND，寫入/抹除次數(Program/Erase Cycle)達3000次，相比于Consumer-grade 3D TLC來的更可靠且效能和使用壽命也有顯著增長。

為滿足客戶應用端不同的使用特性需求，Agrade陸續推出搭載3D NAND的TLC、aSLC-X和MLC-X閃存優化解決方案，提供靈活和彈性的選擇，更具價格競爭力，不僅為客戶考慮到成本效益平衡，更大幅提升運作系統可靠度與穩定性，是各類嵌入式系統的絕佳選擇。Agrade閃存解決方案的全新工業級固態硬盤，包含2.5”、M.2、mSATA、CFast和7Pin SATADOM，多款SSD 外型規格可供選用。