在眾多的存儲(chǔ)器分類中，DRAM，SRAM和Flash是當(dāng)今主要的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)，已經(jīng)存在了很長時(shí)間，其中Flash最年輕的技術(shù)，也是當(dāng)前最熱門的存儲(chǔ)技術(shù)。

下面是DRAM、SRAM和Flash閃存的電路結(jié)構(gòu)對比圖：

工作原理：

DRAM僅使用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組件構(gòu)建，而SRAM通常采用CMOS技術(shù)構(gòu)建，具有六個(gè)晶體管。兩個(gè)交叉耦合的反相器用于存儲(chǔ)信息，就像在觸發(fā)器中一樣。為了進(jìn)行訪問控制，需要另外兩個(gè)晶體管。如果啟用了寫線，則可以讀取數(shù)據(jù)并使用位線進(jìn)行設(shè)置。閃存電路與FG組件配合使用。FG位于柵極和源極-漏極區(qū)域之間，并被氧化層隔離。如果FG不充電，則柵極可以控制源極-漏極電流。當(dāng)在柵極上提供高電壓時(shí)，F(xiàn)G充滿電子（隧道效應(yīng)），F(xiàn)G上的負(fù)電勢對柵極起作用，并且沒有電流。可以用高電壓沿柵極的反方向擦除FG。與SRAM和Flash相比，DRAM具有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即只需要一個(gè)帶有電容器的MOSFET。與SRAM相比，它還具有生產(chǎn)便宜，功耗低的優(yōu)點(diǎn)，但比SRAM慢。另一方面，SRAM通常以CMOS技術(shù)內(nèi)置，具有六個(gè)晶體管和兩個(gè)交叉耦合的反相器，并且對于訪問控制，還需要另外兩個(gè)晶體管。SRAM具有快速，易于控制，集成在芯片中以及快速的優(yōu)勢，因?yàn)椴恍枰馜RAM中的總線。但是SRAM具有需要許多晶體管的缺點(diǎn)，因此比DRAM具有昂貴，更高的功耗。與DRAM和SRAM相比，閃存在柵極和源極-漏極區(qū)域之間具有FG，并被氧化層隔離。閃存不需要電源來存儲(chǔ)信息，但比SRAM和DRAM寫入慢。