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ApacerPT230-M280完全符合PCIegen3x4介面和NVMe1.4規(guī)范，提供出色資料傳輸效能。其極致高速的設(shè)計，為追求卓越效能的多元應(yīng)用系統(tǒng)的理想選擇。

想提升系統(tǒng)速度以及反應(yīng)能力？宇瞻PT230-M242滿足當今產(chǎn)業(yè)應(yīng)用對效能的需求。完全符合PCIegen3x4與NVMe1.4標準，提供超低延遲與高速資料傳輸速度，確保系統(tǒng)保持最佳運作效率。 其精巧M.22242外觀尺寸適用于受限空間大小的設(shè)備，為嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)PC與行動運算的明智選擇。無論是針對高工作負載還是即時處理數(shù)據(jù)，PT230-M242確保長期系統(tǒng)運作順暢與穩(wěn)定性，讓您能專注于最重要的任務(wù)。

系統(tǒng)經(jīng)常性延遲與資料傳輸效能不佳，是否造成系統(tǒng)運作效率低落？宇瞻PV230-M242為滿足現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)應(yīng)用對于效能的需求。完全符合PCIegen3x2和NVMe1.3標準，提供超低延遲與快速資料傳輸速度，確保系統(tǒng)保持最佳運作效率。 其精巧M.22242外觀尺寸適用于受限空間大小的設(shè)備，使其成為嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)PC和行動運算理想的儲存解決方案選擇。無論是針對高工作負載還是即時處理數(shù)據(jù)，PV230-M242確保長期系統(tǒng)運作順暢與穩(wěn)定性—享受頂級效能帶來的流暢使用體驗。

創(chuàng)見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIegen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)與抗硫化電阻，強化關(guān)鍵組件保護，抵御嚴苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE460T經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據(jù)客戶需求提供寬溫規(guī)格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE452T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE452T固態(tài)硬盤內(nèi)建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，優(yōu)異可靠的性能，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見M.22230固態(tài)硬盤MTE370T采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達112層閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE370T采用PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE370T固態(tài)硬盤經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見單面顆粒MTE352T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE352T固態(tài)硬盤具備3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE352T具備類寬溫（-20℃~75℃）特性，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE662AM.2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE662A固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級。MTE662A符合TCGOpal2.0規(guī)范，數(shù)據(jù)可進行加密保存與分層管理，確保數(shù)據(jù)安全性。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE662A具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE662T2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE662T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE662T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。